产品简介
富士IGBT模块6MBI15S-120-02现货销售库存充足
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产品价格:¥385.00
上架日期:2023-09-07 10:07:14
产地:上海上海
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详细说明
    产品参数
    品牌富士
    系列IGBT系列
    封装标准封装
    批号new
    可控硅类型硅(si)
    种类化合物半导体
    数量9999
    可售卖地全国
    IGBT硅片的结构与功率MOSFET?的结构十分相似,主要差异是IGBT增加了P ?基片和一个N ?缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1),其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P 和?N ?区之间创建了一个J1结。?当正栅偏压使栅极下面反演P基区时,一个N沟道形成,同时出现一个电子流,并完全按照功率?MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内,那么,J1将处于正向偏压,一些空穴注入N-区内,并调整阴阳极之间的电阻率,这种方式降低了功率导通的总损耗,并启动了第二个电荷流。后的结果是,在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑:一个电子流(MOSFET?电流);?一个空穴电流(双极)。

    器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极(即门极G)。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区(包括P 和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel?region)。而在漏区另一侧的P 区称为漏注入区(Drain?injector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极C)

    动态特性又称开关特性,IGBT的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关过程中各部分时间;另一个是开关过程中的损耗。
    IGBT?的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT?处于导通态时,由于它的PNP?晶体管为宽基区晶体管,所以其B?值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET?的电流成为IGBT?总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on)?可用下式表示
    Uds(on)?=?Uj1? ?Udr? ?IdRoh
    式中Uj1?——?JI?结的正向电压,其值为0.7?~1V?;Udr?——扩展电阻Rdr?上的压降;Roh?——沟道电阻

    IGBT?的静态特性主要有伏安特性、转移特性。
    IGBT?的伏安特性是指以栅源电压Ugs?为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs?的控制,Ugs?越高,?Id?越大。它与GTR?的输出特性相似.也可分为饱和区1?、放大区2?和击穿特性3?部分。在截止状态下的IGBT?,正向电压由J2?结承担,反向电压由J1结承担。如果无N 缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N 缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT?的某些应用范围。


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