产品简介
详细说明
产品规格说明
产品：General Purpose MOSFETs
配置：Single
晶体管极性：P-Channel
封装：SOT-23
汲极/源极击穿电压：20V
漏极连续电流：2.2A
功率耗散：700 mW
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.1Ohm 4.5 V
典型下降时间：20 ns
典型上升时间：40 ns
典型关闭延迟时间：30 ns
封装：Reel
闸/源击穿电压：±8V
最大工作温度：+150°C
最小工作温度：-55°C
产品：General Purpose MOSFETs
配置：Single
晶体管极性：P-Channel
封装：SOT-23
汲极/源极击穿电压：20V
漏极连续电流：2.2A
功率耗散：700 mW
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.1Ohm 4.5 V
典型下降时间：20 ns
典型上升时间：40 ns
典型关闭延迟时间：30 ns
封装：Reel
闸/源击穿电压：±8V
最大工作温度：+150°C
最小工作温度：-55°C
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