产品简介
详细说明
SI2305 特点
SI2305，采用SOT-23(TO-236)封装方式。
*P通道场效应管
*漏源极限电压:－8V
*漏极连续电流:±3.5A（极限值）
*漏极脉冲电流:±12A（极限值）
*源极连续电流:－1.6A（极限值）
*最大功耗:1.25W
*栅源电压:1.8V
*漏源极限电压:－8V
*漏极连续电流:±3.5A（极限值）
*漏极脉冲电流:±12A（极限值）
*源极连续电流:－1.6A（极限值）
*最大功耗:1.25W
*栅源电压:1.8V
*栅极门槛电压:－0.45V（最小值）
*栅极漏电流:±100nA
*饱和漏极电流IDSS:－1uA
*通态漏电流:－6A@VDS<=–5 V,VGS=–4.5 V
*漏源通态电阻:0.044ohm@VGS=–4.5V, ID=–3.5 A
*栅极跨导:10nC（典型值）
*工作结温:－55℃～+150℃
*封装:SOT-23(TO-236)
*栅极漏电流:±100nA
*饱和漏极电流IDSS:－1uA
*通态漏电流:－6A@VDS<=–5 V,VGS=–4.5 V
*漏源通态电阻:0.044ohm@VGS=–4.5V, ID=–3.5 A
*栅极跨导:10nC（典型值）
*工作结温:－55℃～+150℃
*封装:SOT-23(TO-236)
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