主要经营：英飞凌IGBT,西门康IGBT，三菱IGBT，富士模块
三社可控硅，IXYS可控硅模块，整流桥模块，IGBT、IPM、PIM、无感吸收电容
常备有大量现货，价格绝对有优势！产品全部为原装正品。
我们最好的服务 就是你最好的选择。

本公司是一家专业从事现代国电力半导体器件模块-IGBT，IGBT智能化模块-IPM。专门用于模块的驱动器及有关电子元器件的代理及分销商。

IGBT，IPM，PIM，可控硅，整流桥模块，IGBT单管，快回复二极管。

经营国内外著名品牌的IGBT驱动器，Concept  IGBT驱动器。Semikron驱动板，全系列三菱，富士厚膜驱动电路。

公司已发展为国内外专业化、规模化的元器件供应商。所经营的产品均为全新正品，客户群体不断扩展，主要分布在国内各电子专业市场，北美、西欧、中东、东南亚各地和。公司建立了自己的库房用以储备足够的现货库存，旨在为客户提供最快捷的供货渠道。
   公司自成立之日起就一直以质量和诚信作为生存之本。我们会一如既往地坚持自己的承诺-为客户提供最优质的服务和产品。
本公司主营电子元器件，可控硅,整流桥,整流模块，IGBT、达林顿、智能、三菱、SanRex三社、富士、东芝、西门康、欧派克、英飞凌、IR、可控硅、快恢复二极管、整流桥（单相和三相）、场效应等模块。
  
因为我们是网店与实体店同时销售,有些产品库存数量会有变动,电子产品的价格也不稳定,,价格也不一样,请客户朋友们拍前先联系我们确定好再拍,谢谢您的谅解与支持.
联系手机：13528789012 
联系QQ：1821712788
图片均为实物拍摄，因型号太多没能一一上传，请有需要的朋友以上面的联系方式洽谈
在线支持,请参考网站http://cn.alldatasheet.com/
代理经销以下著名品牌功率半导体器件


A:德国英飞凌Infineon：IGBT模块；PIM模块；可控硅模块。

B:德国西门康SEMIKRON：IGBT模块；可控硅模块；三相整流桥模块。

C:德国艾赛斯IXYS：快速恢复二极管模块；可控硅模块。

D:日本三菱MITSUBISHI：IGBT模块；IPM模块；PIM模块。

E:日本富士FUJI：IGBT模块；IPM模块；三相整流桥模块。

F:日本三社SanRex：可控硅模块；二极管模块；三相整流桥模块。

G:美国威士VISHAY：螺栓二极管；螺栓可控硅。

H:快速熔断器：日之出HINODE；美国BUSSMANN。

I:IGBT无感吸收电容：美国CDE；加拿大EACO。

代理经销:赛米控(SEMIKRON)英飞凌 (Infineon)三菱(Mitsubishi)富士(FUJI)可控硅 IGBT IPM PIM GTR 可控硅 整流桥 等系列原装模块,型号未能尽录,热烈欢迎亲们来电来旺咨询

本公司接受原厂订货,货期稳,交期快,量大价更优

满足广大客户长期的需求,热烈欢迎来电咨询订购.

 本店为公司运作模式.线下实体店、线上店铺同时销售非实价，烦请各位亲们前来咨询店家实价，为保证亲们利益公正公平，请勿在不联系店家下的情况.私自拍下付款！请各位亲们注意！

技术支持：请参考网站:http://www.alldatasheet.com

本公司可根据货款金额大小选择开具3%、17%增值税发票、普通发票,方便各大客户需求

1.小店默认快递为顺丰、德邦，如需要其它快递请咨询店主快递费。

2.小件物品采用快递的运输方式，大件货物发物流。

3.大件物品需要发物流的，本店不承担物流费用，客户提货时付费。

4.特殊情况下也可采取货到付款，本店默认合作顺丰快递，德邦物流进行代收货款。

5.其它物流也可如果需要请提前联系店主。
全新原装 ‘正品保障、现货库存、长期供应’ 欢迎订购 更多商品价格请直接咨询客服中心.
英飞凌IGBT4简介

T4(中小功率)：主要降低了开关损耗，又优化了软开关特性，8KHz≤Fk≤20KHz.

E4(中大功率)：兼顾了降低开关损耗，进一步优化了软开关特性，1KHz≤Fk≤12KHz.

P4（大功率）：重点优化开关的软特性，极大降低了开关EMI，1KHz≤Fk≤8KHz.

IGBT4 仍采用沟槽栅和场终止技术的杰出组合，即Trenchstot TM

IGBT4芯片和其反并联续流二极管芯片，按低、中、高三个功率段的应用特点，分别在开关损耗、通态损耗、开关软特性（EMI）方面进一步优化

1200V IGBT 芯片的饱和压降VCE(sat)=1.7V

最大结温提高到Tjmax=175℃，Tjop=150℃,提高了25℃

 若设计与IGBT3工作在相同结温，IGBT4的功率循环周次（PC）提高5倍

IGBT4的工作结温提高25℃，其输出电流能力提高20%

缩小散热器的体积，实现小形化，降低系统成本
英飞凌EconoDUAL2/DUAL3 封装特点：
17mm高度，输入输出主端子分别在模块两端的一种新型封装结构，为主电路减少布线电感的结构设计带来方便 ，易于并联，内陪芯片均匀布置，封装电感低，散热可靠性提高，驱动电路和牺牲电路可直接布置在IGBT模块上，抗EMI的能力进一步提高，内置NTC温度传感器，坚持温度快而准确，

四单元（H桥）EconoDUAL2 可代替34mm IGBT模块，从而降低成本；两单元DUAL2封装有IGBT4芯片，后缀以MT4表征，可替代62mm封装，降低了成本与损耗，两单元DUAL3后辍以ME3和ME4表征，合适大功率并联设计。

 2SD106AI   2SD315AI  

具有短路和过流保护功能，具有供电电源监视和器件自检，内部自带有DC/DC电源变换器，具有隔离的电气接口

开关频率从DC到大于100-150KHz, 占空比从0到100%

高dv/dt抗扰性，大于100000V
SCALE 即插既用驱动
所有的即插既用驱动都内置有DC/DC，短路保护，有源箱位，电源检测等，无需外接其它电路，用户直接连接IGBT即可使用，适用大功率IGBT，电压从1200V-6500V