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产品简介

半导体扩散炉

产品价格：￥1

上架日期：2011-03-28 14:18:24

产地：青岛

发货地：青岛

供应数量：不限

最少起订：1套

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详细说明

·描述
高温真空烧结炉、粉末冶金烧结炉、真空气氛烧结炉、太阳能烧结炉、微波烧结炉、坩埚烧结炉、热压烧结炉、真空热压烧结炉、超高温烧结炉、超高温反应烧结炉、聚四氟乙稀烧结炉、立式烧结炉、卧式真空炉、烧结炉、陶瓷烧结炉、链式炉、扩散系统、真空扩散炉、高温扩散炉、烘焙排腊炉、单管氢气炉、真空烧结炉、双工烧结炉、陶瓷烧结炉、马弗炉、消磁炉、温度控制系统、熔封炉、缝焊机、加压检漏台、压力机、时效炉
立式真空烧结炉、单、双管卧式真空烧结炉、压力烧结炉、陶瓷烧结炉、链（带）式烧结炉、全功能微控扩散系统、真空扩散炉、高温扩散炉、烘焙排腊炉、单管氢气炉、真空烧结炉、双工位立式真空烧结炉、陶瓷金属化氢气烧结炉、马弗炉、消磁炉、WDNI系列高精度电脑温度控制系统、WDNX多功能温度控制系统、全钽玻璃绝缘子熔封炉、PFJ-2型平行缝焊机、Y80-2/ RZQ加压检漏台、热稳态压力机、时效炉、

该系统是生产半导体器件和大规模集成电路的重要设备。

1、系统组成：a)扩散炉主机 b)推拉舟及层流净化台 c)气源柜 d)排毒柜 e）微机控制柜

2、扩散炉管数：1～4管/台

3、炉管内径：φ90㎜×240mm

4、恒温区长度：≤600mm±1℃(300～800℃） ≤600mm±0.5℃(800～1250℃）

5、单点稳定性：±1℃/24h(300～800℃） ±0.5℃/24h(800～1250℃）

6、气源路数：≤6路

7、气源控制：MFC或浮子流量计

8、推拉舟行程：最大1500mm

9、推拉舟速度范围及精度：（1～1000）± 3mm/min

10、推拉舟位置控制精度：≤3mm

11、冷却方式：水冷+风冷

12、微控部分采用STD总线功能模板

a)主CPU板：8031+32ROM+8KRAM+总线接口部件

b)信号调理板：完成对温度过程的采样、放大及高精度A/D的转换

c)人机界面板：接收键入信息管理，并配置9”液晶显示

d)推拉舟接口板：输出推拉舟速度值，完成舟位置检测，输出推拉舟的运动指令

e)MFC接口板：输出MFC设定值，将MFC的流量信息采入计算机

f)可控硅控制及形状量输出板：完成与可控硅触发及开关量放大驱动器接口等功能

g)键盘：采用标准键盘或专用小键盘

h)电源板（非STD总线板）

i)可控硅触发板：完成可控硅的过零触发或移相触发驱动(非STD总线板)

j)开关量驱动板：完成由STD总线板的数字信号(TTL电平)的转换、放大，用于驱动气路阀（非总线板）

k)推拉舟驱动部分：接收总线板输出的推拉舟速状态指令，并将位置转换成标准信号输出，有手动自动转换

13、微机控制特点：

a)工艺温度段数：1～14段，可选段运行

b)单段时间范围：1～1080分钟/斜变段 1～9999分钟/恒温段

c)三个温度测控回路独立修正温度测量值 d)三个温度测控点独立修正温度测量值

e)PID参数，温度修正量可在线修改 f)温度设定单位：℃ 分辨率：0.1℃

g)工艺段时间设定单位：min，分辨率：1min h)各类工艺数据断电后长期保存

i)工艺气体流量，推拉舟运动状态由微机实行闭环控制 j)中文显示各类提示信息

k)各类输入信息采用填表方式完成，条例清楚，逻辑合理

·描述
高温真空烧结炉、粉末冶金烧结炉、真空气氛烧结炉、太阳能烧结炉、微波烧结炉、坩埚烧结炉、热压烧结炉、真空热压烧结炉、超高温烧结炉、超高温反应烧结炉、聚四氟乙稀烧结炉、立式烧结炉、卧式真空炉、烧结炉、陶瓷烧结炉、链式炉、扩散系统、真空扩散炉、高温扩散炉、烘焙排腊炉、单管氢气炉、真空烧结炉、双工烧结炉、陶瓷烧结炉、马弗炉、消磁炉、温度控制系统、熔封炉、缝焊机、加压检漏台、压力机、时效炉
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主要技术指标：

产品名称：真空扩散炉

规格：内φ130㎜×1100mm

最高使用温度：1200℃

工作温度：1150℃

真空室等温区长度：≥400mm

等温区温度均匀度：（1150℃）±1℃

单点控制精度：±1℃/24小时

升温功率：≤16KW

保温功率：≤7KW

开机重复性：±1℃

冷态真空度：10-3Pa以下

炉体移动速度：≥2米/分钟

炉体定位精度：≤±2毫米

升温时间：≤70min（加载后至恒温时间）

降温时间：≤30min（工件出炉温度≤100℃）

充气压力：≤0.2Mpa

供电方式：三相四线 380V±10% 50Hz

单工作室有效负载重量：≥6kg（指工件及模具重量）