20世纪90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI、VLSI、ULSI相继出现，芯片集成度不断提高，I / O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为满足发展的需要，在原有封装方式的基础上，又增添了新的方式----球栅阵列封装，简称BGA（Ball Grid Array Package）。
随着芯片集成技术的发展和电子产品向微型化方向的发展，对芯片封装技术提出了新的挑战。芯片的封装技术已经历经好几代的变迁 （从DIP、TSOP、BGA、CSP），技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。
BGA封装技术的发展越来越成熟，已经被应用到很多集成电路上，这种封装技术大大缩小了集成电路的体积，增强电路的功能，减小功耗，降低生产成本。
锡球特点
本产品的纯度和圆球度均非常高，适用于BGA，CSP等尖端封裝技术及微细焊接使用，使用时具自动校正能力並可容许相对较大的置放误差，无端面平整度問題。
锡球合金成份
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合金成分 |
熔点(℃) |
用途 |
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固相线 |
液相线 |
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Sn63/Pb37 |
183 |
183 |
常用锡球 |
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Sn62/Pb36/Ag2 |
179 |
179 |
用于含银电极元件的焊接 |
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Sn10/Pb90 |
268 |
300 |
无铅焊接 |
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Sn96.5/Ag3.5 |
221 |
221 |
无铅焊接 |
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Sn95.5/Ag4/Cu0.5 |
217 |
217 |
无铅焊接 |
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Sn96.5/Ag3/Cu0.5 |
217 |
217 |
无铅焊接 |
锡球型号、包装
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直径（mm） |
公差（mm） |
真圆度（mm） |
粒 / 瓶 |
克 / 瓶（净重） |
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0.25 |
±0.010 |
＜0.008 |
100万粒 |
68.92g |
|
0.30 |
±0.010 |
±0.010 |
100万粒 |
119.05g |
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0.35 |
±0.010 |
±0.010 |
50万粒 |
189.02g |
|
0.40 |
±0.012 |
±0.011 |
50万粒 |
141.50g |
|
0.45 |
±0.012 |
±0.012 |
25万粒 |
200.85g |
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0.50 |
±0.015 |
±0.013 |
25万粒 |
137.80g |
|
0.55 |
±0.015 |
±0.015 |
25万粒 |
188.10g |
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0.60 |
±0.018 |
±0.016 |
25万粒 |
238.08g |
|
0.65 |
±0.018 |
±0.018 |
25万粒 |
303.11g |
|
0.70 |
±0.020 |
±0.019 |
25万粒 |
378.52g |
|
0.76 |
±0.020 |
±0.020 |
25万粒 |
484.45g |
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0.889 |
±0.025 |
±0.025 |
12.5万粒 |
387.66g |
锡球物理参数
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物理特性 |
熔点 |
密度 |
导电性 |
热膨胀系数 |
导热性 |
抗剪强度 |
抗张强度 |
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（℃） |
（mg/cm3） |
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in/in℃@20℃ |
w/cm℃@85℃ |
PSI |
PSI |
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Sn63/Pb37 |
183 |
8.38 |
11.46 |
25.2 |
0.5 |
6200 |
7500 |
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Sn62/Pb36/Ag2 |
179 |
8.42 |
11.85 |
27.1 |
0.5 |
7540 |
7540 |
