IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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主要用于航天航空，机场设施，电机调速，矿山焊机，船舶舰艇，通用变频器、高压变频器、伺服驱动器、UPS、变频与传动、电动汽车、电力系统无功补偿装置UPS逆变器/UPS/EPS、风电变流器、变频空调、光伏变流、机车主牵引变流器、电梯变频器、起重专用变频器、石油钻井、感应加热、电源电镀/电解电源、有源滤波/无功补偿、机车辅助逆变器、逆变焊机；
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