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超低能锗探测器特性和好处：
• 适合于 300 eV 到300keV 谱学应用
• 效率比 Si（Li）和SDD 高
• 直到很高的技术速率都提供很好的峰形
• 峰/本底比较高

详细介绍

超低能锗探测器

应用
• XRF
• XAS (XAFS, EXAFS,
XANES)
• X-射线谱学

描述：
Canberra 的超低能锗探测器(Ultra-LEGe) 把Ge 探测器的性能范围延伸到几百ev，提供过去的半导体
探测器所不能比拟的分辨率、峰形和峰/本底比。超低能锗探测器保持了锗探测器固有的高能效率特性，由于原子数(Z)高加上相对地高的厚度（5-10mm），因而能够转换比市场上任何单光子探测器更广的能量范围。下面的图2 把一个5 mm 厚的Ge 探测器X 射线谱高能端的效率与典型的基于硅的探测器作比较。通常的锗探测器－包括专门为低能应用制造的探测器－3keV 以下峰形和效率都很差。这曾经被认为是锗探测器的基本特性，使锗探测器不能应用于大多数分析X 射线的应用。Canberra 发明的制造技术消除了这些问题。由此产生的超低能锗探测器提供锗探测器本征效率和分辨率的优势，而没有通常锗探测器的缺点。

性能：
由于Canberra的探测器结构适用于所有低能锗探测器，各种尺寸的超低能锗探测器都能够提供的性能。例如，100mm2的超低能锗探测器在5.9keV的分辨率小于150eV（FWHM），而同样尺寸的Si ( Li )探测器的分辨率超过160eV ( FWHM )。Ultra-LEGe探测器的主要优点是它非常低的电容，这意味着即使在非常短的成形时间，该探测器也能保持好的能量分辨率。例如，一个50mm2 探测器以0.1 微秒成形时间和100 kcps 计数率计数时，在5.9 keV 处典型分辨率为300 eV (FWHM)。这使得Ultra-LEGe理想地适用于高计数率XRF和回旋加速器应用。Ultra-LEGe探测器表现出很好的峰-本底比(P/B)。.P/B-比定义为5.9 keV 处峰高除以1- 4 keV能量范围内计数的平均，一个Ultra-LEGe探测器的P/B典型值2000:1.。在图 1 中，Ultra-LEGe 超低能锗探测器对一个来自NIST22063 薄胶片标准类的X 射线谱表现出的分辨率、峰形和低本底噪声。这一谱是用装备聚合物窗的超低能锗探测器获取的，使用电子扫描显微镜激发的。