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原子层沉积系统，包括：传统的热原子层沉积系统（TALD）、等离子增强原子层沉积系统（PEALD）、粉末样品的原子层沉积系统（Power-ALD）。

详细介绍

原子层沉积系统

原子层沉积系统，包括：传统的热原子层沉积系统(TALD)、等离子增强原子层沉积系统(PEALD)、粉末样品的原子层沉积系统(Power-ALD)。

仪器简介：
原子层沉积（Atomic Layer Deb，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deb，ALCVD）。
原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件的工具。
ALD的优点包括：
1. 可以通过控制反应周期数控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；
2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜；
3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；
4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；
5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；
6. 可广泛适用于各种形状的衬底；
7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。

 
技术参数：
基片尺寸：4英寸、6英寸、8英寸、12英寸；
加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；
均匀性： < 1%；
前驱体数：4路（可选配6路）；
兼容性： 可兼容100级超净室；
尺寸：950mm x 700mm；
ALD，PE-ALD，粉末ALD技术；

 
原子层沉积ALD的应用包括：
1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；
2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；
3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；
4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；
5) 纳米结构 (All ALD Material)；
6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；
7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；
8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；
9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO);
10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2);
11) OLED钝化层 (Al2O3);
12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；
14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2);
16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17) 传感器 (SnO2, Ta2O5);
18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)；

 
目前可以沉积的材料包括：
1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...