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SIPDR电阻率测试夹具用于测量超材料和电阻膜的表面阻抗，以及用于半导体晶片的电导率的非接触式测量；可以测量的薄膜材料范围包括表面阻抗Rs <20kΩ/sq的电阻层、金属薄膜和导电聚合物薄膜。

详细介绍

SIPDR电阻率测试夹具

SiPDR（单柱介电谐振器）用于测量超材料和电阻膜的表面阻抗，以及用于半导体晶片的电导率的非接触式测量；可以测量的薄膜材料范围包括表面阻抗Rs <20kΩ/sq的电阻层、金属薄膜和导电聚合物薄膜。

SIPDR电阻率测试夹具对于半导体晶片，电阻率测量的上限约为1000Ωcm。 具有较高电阻率值的半导体可以使用该谐振器方便地进行测量。所有SiPDR（单柱介电谐振器）都是定制的。

类型	参数
厚度为h的样品的测量精度	±2％
工作频率	5 GHz
工作温度范围	-270°C 至 110°C