最近，河南大学与中国科学技术大学等单位合作，在可见光量子点发光二极管(QLED)方面取得突破性进展。该工作通过设计合成新型核壳结构量子点，研发了兼具高亮度、高效率和长寿命红绿蓝三基色QLED器件，其中多项性能指标创世界记录，包括红绿两色的亮度(356,000 cd/m2和614,000 cd/m2)和效率(21.6%和22.9%)、蓝色的亮度(62,600 cd/m2)以及绿色和蓝色器件的寿命(分别为1.7 × 106 h和7000 h)。该研究结果有望加速推进QLED在高亮高效显示和照明领域应用的进程。

  20世纪90年代氮化镓基高亮度蓝光LED的突破，开启了LED照明和显示的新时代(三位日本科学家因此贡献获得了2014年诺贝尔物理学奖)。基于半导体量子点的QLED，由于具有更好的单色性、色彩饱和度和较低的制备成本等优点，在显示和照明领域展现出广阔的应用前景。经过近几年的快速发展，其发光亮度、外量子效率(EQE)和寿命等主要性能指标都得到了大幅度提升。但在以往的工作中，器件存在高亮度时效率太低、高效率下亮度太低的矛盾。如何使器件在高亮度的同时保持高效率、且具有长寿命和高稳定性，是QLED领域亟待解决的难题，也是制约其在显示和照明领域应用的关键技术瓶颈。

  造成上述“鱼与熊掌不可兼得”困境的主要原因在于，通常QLED发光层中量子点价带能级较深，与空穴传输层不匹配，导致空穴注入效率过低，与电子注入不平衡。针对这一难题，研究团队从发光层量子点的设计入手，基于“低温成核、高温长壳”的技术，合成了荧光量子产率高、稳定性强的硒阴离子贯穿的CdSe/ZnSe新型核壳结构量子点(图1)。这类高质量核壳结构量子点作为发光层，能改善与传输层能级的匹配，有效降低空穴注入势垒，提高载流子的注入效率，克服以往QLED中由于空穴注入不足、电子注入过多所引起的一系列问题，从而大幅度提升器件整体性能。